Simulation study of InAlN/GaN high-electron mobility transistor with AlInN back barrier - 韩铁成 赵红东 杨磊 王杨 (Chinese physics B, 2017)
Keywords: HEMT器件; 不连续性; 功率增益; 势垒层; 器件模拟; 截止频率; 短沟道效应; 高电子迁移率晶体管