Influence of Post-Annealing on Electrical Characteristics of Thin-Film Transistors with Atomic-Layer-Deposited ZnO-Channel/Al2O3-Dielectric - 王有航 马倩 郑丽丽 刘文军 丁士进 卢红亮 张卫 (中国物理快报：英文版, 2016)
Keywords: 原子层沉积; 器件性能; 氧化铝; 氧化锌; 电特性; 薄膜晶体管; 退火温度; 通道