等离子诱导QWI对InP/InGaAsP结构的影响

为了比较简单地在同一外延片上得到具有不同带隙结构的有源器件与无源器件的PIC（光子集成电路）和OEIC（光电子集成电路）,采用等离子诱导QWI（量子阱混杂）与RTA（快速热退火）技术获得了InP/InGaAsP结构材料的带隙蓝移,其中通过在材料表面沉积不同占空比的SiO2灰度掩膜来灵活控制带隙偏移量。实验中这种方法在基片上获得了5种带隙波长,其中最大波长偏移为75nm,实验结果说明这种技术是实现PIC和OEIC的有效手段,特别是在多带隙结构中具有广阔的应用前景。...

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Published inGuangtongxin Yanjiu pp. 37 - 39
Main Authors 郭剑, 赵建宜, 黄晓东, 马卫东
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 《光通信研究》编辑部 01.01.2012
Subjects
光子集成;量子阱混杂;多量子阱
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ISSN1005-8788
DOI10.3969/j.issn.1005-8788.2012.05.012

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Summary:为了比较简单地在同一外延片上得到具有不同带隙结构的有源器件与无源器件的PIC（光子集成电路）和OEIC（光电子集成电路）,采用等离子诱导QWI（量子阱混杂）与RTA（快速热退火）技术获得了InP/InGaAsP结构材料的带隙蓝移,其中通过在材料表面沉积不同占空比的SiO2灰度掩膜来灵活控制带隙偏移量。实验中这种方法在基片上获得了5种带隙波长,其中最大波长偏移为75nm,实验结果说明这种技术是实现PIC和OEIC的有效手段,特别是在多带隙结构中具有广阔的应用前景。
ISSN:1005-8788
DOI:10.3969/j.issn.1005-8788.2012.05.012