Epitaxy of >7 μm Thick GaN Drift Layers on 150 mm Si(111) Substrates Realizing Vertical PN Diodes with 1200 V Breakdown Voltage
Michler, Sondre, Hamdaoui, Youssef, Thapa, Sarad, Schwalb, Georg, Besendörfer, Sven, Ziouche, Katir, Albrecht, Martin, Brunner, Frank, Medjdoub, Farid, Meissner, Elke
Published in Physica status solidi. A, Applications and materials science (08.10.2024)
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Journal Article
Method for processing semiconductor wafer, for manufacturing semiconductor wafer with revised edge geometry, involves carrying out material removing process of edge of semiconductor wafer
SCHAUER, REINHARD, WEBER, CHRISTOF, SCHMOLKE, RUEDIGER, SCHWALB, GEORG, VETTERHOEFER, JUERGEN
Year of Publication 09.10.2008
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Year of Publication 09.10.2008
Patent
INVISIBLE, MACHINE-DETECTABLE SECURITY MARKING
KUPFER, JURGEN, MULLER-REES, CHRISTOPH, SCHWALB, GEORG, LEIGEBER, HORST
Year of Publication 18.03.2008
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Year of Publication 18.03.2008
Patent
MIT DEM AUGE NICHT ERKENNBARE, MASCHINENDETEKTIERBARE SICHERHEITSMARKIERUNG, HERSTELLUNG DER SICHERHEITSMARKIERUNG UND SICHERHEITSSYSTEM UMFASSEND DIESE SICHERHEITSMARKIERUNG
MUELLER-REES, CHRISTOPH, KUEPFER, JUERGEN, SCHWALB, GEORG, LEIGEBER, HORST
Year of Publication 15.12.2001
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Year of Publication 15.12.2001
Patent
MASCHINENDETEKTIERBARE SICHERHEITSMARKIERUNG ENTHALTEND FLÜSSIGKRISTALLINES MATERIAL, HERSTELLUNG DER SICHERHEITSMARKIERUNG UND SICHERHEITSSYSTEM UMFASSEND DIESE SICHERHEITSMARKIERUNG
MUELLER-REES, CHRISTOPH, KUEPFER, JUERGEN, SCHWALB, GEORG, LEIGEBER, HORST
Year of Publication 15.06.2001
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Year of Publication 15.06.2001
Patent