Transistor mit einer eingebetteten Halbleiterlegierung mit einer asymmetrischen Anordnung
HOENTSCHEL, JAN, KRONHOLZ, STEPHAN, PAPAGEORGIOU, VASSILIOS, BEERNINK, GUNDA
Year of Publication 08.07.2010
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Year of Publication 08.07.2010
Patent
Halbleiterbauelement mit Metallgate und Halbleiterwiderständen, die auf der Grundlage eines Austauschgateverfahrens hergestellt sind
STEJSKAL, ROLAND, HEMPEL, KLAUS, HOENTSCHEL, JAN, WEI, ANDY, SCHEIPER, THILO, KURZ, ANDREAS, BEYER, SVEN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 03.11.2011
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Year of Publication 03.11.2011
Patent
Technik zur Bereitstellung von Verspannungsquellen in Transistoren in unmittelbarer Nähe zu einem Kanalgebiet durch Vertiefen von Drain- und Source-Gebieten
HOENTSCHEL, JAN, WEI, ANDY, HORSTMANN, MANFRED, KAMMLER, THORSTEN, JAVORKA, PETER, BLOOMQUIST, JOE
Year of Publication 11.10.2007
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Year of Publication 11.10.2007
Patent