Search Results - "HONTSCHEL JAN" :: K.UTB vyhledávací portál

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Transistor mit eingebetteten sigma-förmigen sequenziell hergestellten Halbleiterlegierungen

by FLACHOWSKY, STEFAN, HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, KRONHOLZ, STEPHAN DETLEF
Year of Publication 28.06.2012

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Patent

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Gering diffundierte Drain- und Sourcegebiete in CMOS-Transistoren für Anwendungen mit hoher Leistungsfähigkeit und geringer Leistung

by FLACHOWSKY, STEFAN, HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, LANGDON, STEVEN
Year of Publication 21.06.2012

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Patent

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Strukturierung eines verspannten dielektrischen Materials in einer Kontaktebene ohne Verwendung einer verbleibenden Ätzstoppschicht

by FLACHOWSKY, STEFAN, HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, BEYER, SVEN
Year of Publication 21.06.2012

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Patent

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Verfahren zur Herstellung und Halbleiterbauelement mit besserem Einschluss von empfindlichen Materialien einer Metallgateelektrodenstruktur mit großem

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, BEYER, SVEN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 14.06.2012

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Patent

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Verfahren zum Bilden von einer Gateelektrode einer Halbleitervorrichtung, Gateelektrodenstruktur für eine Halbleitervorrichtung und entsprechende Halbleitervorrichtungsstruktur

by ZAKA, ALBAN, YAN, RAN, HOENTSCHEL, JAN, TRENTZSCH, MARTIN, SASSIAT, NICOLAS, GRASS, CARSTEN
Year of Publication 18.09.2014

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Patent

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Halbleiterbauelement mit einer gestapelten Chipkonfiguration mit einem integrierten Peltier-Element

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, BEYER, SVEN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 24.05.2012

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Patent

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Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit Metallgateelektrodenstrukturen mit großem , die vor den Drain/Source-Gebieten auf der Grundlage eines Opferkohlenstoffabstandshalters hergestellt werden

by LENSKI, MARKUS, HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, BEYER, SVEN
Year of Publication 16.05.2012

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Patent

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Austauschgateverfahren auf der Grundlage eines Umkehrabstandhalters, der vor der Abscheidung des Austrittsarbeitsmetalls aufgebracht wird

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, BEYER, SVEN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 26.04.2012

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Transistoren mit Metallgateelektrodenstrukturen mit großem und angepassten Kanalhalbleitermaterialien

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, BEYER, SVEN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 26.04.2012

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Patent

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Leistungssteigerung in PFET-Transistoren mit einem Metallgatestapel mit großem durch Verbessern des Dotierstoffeinschlusses

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, WEI, ANDY, BEYER, SVEN
Year of Publication 26.04.2012

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Patent

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Transistor mit vergrabener Metallgateelektrodenstruktur mit großem

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, BEYER, SVEN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 26.04.2012

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Patent

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Method for manufacturing semiconductor element for e.g. CPU, involves providing buried insulating layer under active region of substrate, removing part of oxidized material and forming drain- and source regions in active region

by FLACHOWSKY, STEFAN, HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, KRONHOLZ, STEPHAN DETLEF
Year of Publication 19.04.2012

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Patent

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Asymmetrischer Transistor mit einer eingebetteten Halbleiterlegierung mit einer asymmetrischen Anordnung und Verfahren zur Herstellung des Transistors

by HOENTSCHEL, JAN, KRONHOLZ, STEPHAN, PAPAGEORGIOU, VASSILIOS, BEERNINK, GUNDA
Year of Publication 12.04.2012

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Patent

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CMOS-Bauelement mit einem NMOS-Transistor mit abgesenkten Drain- und Sourcebereichen und einem PMOS-Transistor mit einem Si/Ge-Material in den Drain- und Sourcebereichen

by HOENTSCHEL, JAN, WEI, ANDY, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 10.09.2009

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Patent

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Leistungssteigerung in Transistoren mit einem Metallgatestapel mit großem durch eine frühe Implantation der Erweiterungsgebiete

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, BEYER, SVEN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 16.02.2012

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Transistoren mit Metallgateelektrodenstrukturen mit großem , die in verformungsinduzierenden Halbleiterlegierungen eingebettet sind, die in einer späten Phase hergestellt sind

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, BEYER, SVEN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 02.02.2012

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Patent

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Transistor mit eingebettetem Si/Ge-Material mit einer besseren substratüberspannenden Gleichmäßigkeit

by HOENTSCHEL, JAN, WEI, ANDY, SCOTT, CASEY, MULFINGER, ROBERT
Year of Publication 26.01.2012

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Vordotiertes Halbleitermaterial für eine Metallgateelektrodenstruktur mit großem von p-und n-Kanaltransistoren

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, BEYER, SVEN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 29.12.2011

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Patent

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Halbleiterbauelement mit einer gestapelten Chipkonfiguration mit einem integrierten Peltier-Element

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, BEYER, SVEN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 01.12.2011

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Patent

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Verspannungsgedächtnistechnik mit geringerer Randz in MOS-Halbleiterbauelementen

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, KURZ, ANDREAS, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 03.11.2011

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