Search Results - "HONTSCHEL JAN" :: K.UTB vyhledávací portál

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Herstellverfahren für Metallgateelektrodenstrukturen mit großem , die durch ein Austauschgateverfahren auf der Grundlage einer verbesserten Ebenheit von Platzhaltermaterialien hergestellt sind

by FLACHOWSKY, STEFAN, HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, WEI, ANDY
Year of Publication 28.03.2013

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Patent

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In-situ erzeugte Drain- und Source-Gebiete mit einer verformungsinduzierenden Legierung und einem graduell variierenden Dotierstoffprofil

by HOENTSCHEL, JAN, PAPAGEORGIOU, VASSILIOS, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 12.08.2010

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Patent

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Vergrößerte Tiefe von Drain- und Sourcegebieten in komplementären Transistoren durch Herstellen eines tiefen Drain- und Sourcegebiets vor der Ätzung einer Aussparung

by HOENTSCHEL, JAN, BEYER, SVEN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 12.08.2010

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Patent

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Verfahren zur Herstellung eines verspannten Transistors durch eine späte Amorphisierung und durch zu entfernende Abstandshalter

by HOENTSCHEL, JAN, WEI, ANDY, BURBACH, GERT, JAVORKA, PETER
Year of Publication 03.01.2013

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Patent

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Einstellen der Konfiguration eines Mehr-Gatetransistors durch Steuern einzelner Stege

by HOENTSCHEL, JAN, PAPAGEORGIOU, VASSILIOS, MULFINGER, ROBERT G
Year of Publication 08.07.2010

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Patent

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MOSFET e.g. N-channel MOSFET, producing method for integrated circuit, involves heating transistor in presence of dielectric material, and forming contact structure over transistor after transistor is heated

by FEUDEL, THOMAS, HOENTSCHEL, JAN, ILLGEN, RALF
Year of Publication 24.06.2010

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Patent

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Kompensation der Leistungsbeeinträchtigung von Halbleiterbauelementen durch Anpassung des Tastgrades des Taktsignals

by WIATR, MACIEJ, HOENTSCHEL, JAN, PAPAGEORGIOU, VASSILIOS
Year of Publication 10.06.2010

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Patent

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Verfahren zur Herstellung von Kontaktbalken mit reduzierter Randzonenkapazität in einem Halbleiterbauelement

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, WEI, ANDY, BEYER, SVEN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 31.10.2012

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Patent

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Transistor mit einem Metallgatestapel mit großem epsilon und einem kompressiv verspannten Kanal

by HOENTSCHEL, JAN, FROHBERG, KAI, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 06.05.2010

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Patent

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Verfahren zum Verringern des Reihenwiderstands in komplexen Transistoren durch zuverlässiges Einbetten von Metallsilizidkontakten in hochdotiertes Halbleitermaterial bei der Herstellung

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, BEYER, SVEN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 20.09.2012

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Patent

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CMOS-Bauelement mit NMOS-Transistoren und PMOS-Transistoren mit stärkeren verformungsinduzierenden Quellen und Metallsilizidgebieten mit geringem Abstand

by HOENTSCHEL, JAN, MULFINGER, ROBERT, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 08.04.2010

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Patent

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Transistor mit eingebetteten sigma-förmigen sequenziell hergestellten Halbleiterlegierungen

by FLACHOWSKY, STEFAN, HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, KRONHOLZ, STEPHAN DETLEF
Year of Publication 06.09.2012

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Patent

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Strukturiertes verformtes Substrat zur Herstellung verformter Transistoren mit geringerer Dicke der aktiven Schicht

by HOENTSCHEL, JAN, WEI, ANDY, BEYER, SVEN
Year of Publication 04.03.2010

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Patent

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Strukturierung eines verspannten dielektrischen Materials in einer Kontaktebene ohne Verwendung einer verbleibenden Ätzstoppschicht

by FLACHOWSKY, STEFAN, HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, BEYER, SVEN
Year of Publication 16.08.2012

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Metallgateelektrodenstrukturen mit großem , die durch ein Austauschgateverfahren auf der Grundlage einer verbesserten Ebenheit von Platzhaltermaterialien hergestellt sind

by FLACHOWSKY, STEFAN, HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, WEI, ANDY
Year of Publication 02.08.2012

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Patent

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Durchlassstromerhöhung in Feldeffekttransistoren durch asymmetrische Konzentrationsprofile von Legierungssubstanzen einer Kanalhalbleiterlegierung

by FLACHOWSKY, STEFAN, HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, LANGDON, STEVEN
Year of Publication 02.08.2012

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Patent

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auf der Grundlage eines Silizium/Kohlenstoff-Materials

by HOENTSCHEL, JAN, PAPAGEORGIOU, VASSILIOS, HANNON, BELINDA
Year of Publication 11.02.2010

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Patent

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Transistor mit eingebettetem Si/GE-Material mit einem verbesserten Boreinschluss

by WIATR, MACIEJ, HOENTSCHEL, JAN, PAPAGEORGIOU, VASSILIOS
Year of Publication 04.02.2010

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Patent

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Kontaktgräben zur besseren Verspannungsübertragung in Transistoren mit geringem Abstand

by HOENTSCHEL, JAN, WEI, ANDY, SALZ, HEIKE
Year of Publication 07.01.2010

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Patent

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CMOS-Bauelement mit MOS-Transistoren mit abgesenkten Drain- und Source-Bereichen und nicht-konformen Metallsilizidgebieten

by HOENTSCHEL, JAN, WEI, ANDY, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 07.01.2010

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