Search Results - "HONTSCHEL JAN" :: K.UTB vyhledávací portál

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Herstellverfahren und Halbleiterbauelement mit Verformungstechnologie in dreidimensionalen Transistoren auf der Grundlage global verformter Halbleiterbasisschichten

by HOENTSCHEL, JAN, BEYER, SVEN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 12.04.2012

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Patent

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Verringerte Schwellwertspannungs-Breitenabhängigkeit in Transistoren, die Metallgateelektrodenstrukturen mit großem aufweisen

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, LANGDON, STEVEN
Year of Publication 05.04.2012

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Patent

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Verringerte Schwellwertspannungs-Breitenabhängigkeit in Transistoren, die Metallgateelektrodenstrukturen mit großem aufweisen

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, LANGDON, STEVEN
Year of Publication 01.03.2012

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Patent

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Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, BEYER, SVEN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 22.05.2014

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Patent

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Verformungstechnologie in dreidimensionalen Transistoren auf der Grundlage eines verformten Kanalhalbleitermaterials

by FLACHOWSKY, STEFAN, HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO
Year of Publication 02.02.2012

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Patent

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Transistor mit einer Metallgateelektrodenstruktur mit großem , die auf der Grundlage eines vereinfachten Abstandshalterschemas hergestellt ist

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, BEYER, SVEN
Year of Publication 08.12.2011

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Patent

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Verfahren zur Durchlassstromerhöhung in Feldeffekttransistoren durch asymmetrische Konzentrationsprofile von Legierungssubstanzen einer Kanalhalbleiterlegierung und Halbleiterbauelement

by FLACHOWSKY, STEFAN, HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, LANGDON, STEVEN
Year of Publication 06.03.2014

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Patent

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Verfahren zum Bilden von einer Gateelektrode einer Halbleitervorrichtung

by ZAKA, ALBAN, YAN, RAN, HOENTSCHEL, JAN, TRENTZSCH, MARTIN, SASSIAT, NICOLAS, GRASS, CARSTEN
Year of Publication 24.03.2016

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Patent

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Aluminiumsicherungen in einem Halbleiterbauelement, das Metallgateelektrodenstrukturen aufweist

by HOENTSCHEL, JAN, KURZ, ANDREAS, SCHWAN, CHRISTOPH
Year of Publication 06.10.2011

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Patent

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durch Verwendung eines eingebetteten verformten Halbleitermaterials

by HOENTSCHEL, JAN, PAPAGEORGIOU, VASSILIOS, HANNON, BELINDA
Year of Publication 25.08.2011

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Verfahren zur Herstellung eines Transistorbauelementes mit In-Situ erzeugten Drain- und Source-Gebieten mit einer verformungsinduzierenden Legierung und einem graduell variierenden Dotierstoffprofil und entsprechendes Transistorbauelement

by HOENTSCHEL, JAN, PAPAGEORGIOU, VASSILIOS, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 30.06.2011

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Patent

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Verfahren zur Schwellwerteinstellung für MOS-Bauelemente

by BERTHOLD, HEIKE, HOENTSCHEL, JAN, FROHBERG, KAI, RUTTLOFF, KERSTIN, REICHE, KATRIN, GRIEBENOW, UWE, FEUSTEL, FRANK
Year of Publication 03.12.2015

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Patent

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Verspannungseinstellung in verspannten dielektrischen Materialien von Halbleiterbauelementen durch Verspannungsrelaxation auf der Grundlage von Strahlung

by BOSCHKE, ROMAN, HOENTSCHEL, JAN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 01.06.2011

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Transistor mit einer Metallgateelektrodenstruktur mit großem , die auf der Grundlage eines vereinfachten Abstandshalterschemas hergestellt ist

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, BEYER, SVEN
Year of Publication 01.06.2011

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oßem für Bauelemente mit unterschiedlichen Schwellwertspannungen

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO, BEYER, SVEN
Year of Publication 01.06.2011

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Patent

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Semiconductor device e.g. N-type-semiconductor device, has semiconductor substrate selectively comprising silicon/germanium channel region that is formed under gate electrode structure in transistor region

by FLACHOWSKY, STEFAN, HOENTSCHEL, JAN, BEYER, SVEN, KALLENSEE, OLIVER
Year of Publication 05.09.2013

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Patent

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Verformungstechnologie in dreidimensionalen Transistoren auf der Grundlage global verformter Halbleiterbasisschichten

by HOENTSCHEL, JAN, BEYER, SVEN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 05.05.2011

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Patent

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Halbleiterbauelement mit einem vergrabenen Wellenleiter für die bauteilinterne optische Kommunikation

by HOENTSCHEL, JAN, FROHBERG, KAI, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 07.04.2011

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Verspannungseinstellung in verspannten dielektrischen Materialien von Halbleiterbauelementen durch Verspannungsrelaxation auf der Grundlage von Strahlung

by BOSCHKE, ROMAN, HOENTSCHEL, JAN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 03.03.2011

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Verformungsumwandlung in biaxial verformten SOI-Substraten zur Leistungssteigerung von p-Kanal- und n-Kanaltransistoren

by FLACHOWSKY, STEFAN, HOENTSCHEL, JAN, WEI, ANDY
Year of Publication 02.12.2010

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