Search Results - "HONTSCHEL JAN" :: K.UTB vyhledávací portál

Loading…

Transistor mit einer Gateelektrode, die sich rund um ein oder mehrere Kanalgebiete erstreckt

by FLACHOWSKY, STEFAN, HOENTSCHEL, JAN
Year of Publication 11.09.2014

Get full text

Patent

Loading…

HK/MG-Prozessflüsse für p-Typ Halbleitervorrichtungen

by Javorka, Peter, Richter, Ralf, Faul, Jürgen, Hoentschel, Jan
Year of Publication 14.11.2019

Get full text

Patent

Loading…

Halbleitervorrichtungen mit eingekapselten Verspannungsbereichen und zugehörige Herstellungsverfahren

by FLACHOWSKY, STEFAN, HOENTSCHEL, JAN
Year of Publication 15.11.2012

Get full text

Patent

Loading…

Halbleitervorrichtung, Halbleitervorrichtungsstruktur, Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtungsstruktur

by Flachowsky, Stefan, Höntschel, Jan, Illgen, Ralf
Year of Publication 22.09.2016

Get full text

Patent

Loading…

Leistungssteigerung in Transistoren durch Reduzierung der Absenkung aktiver Gebiete und durch Entfernen von Abstandshaltern

by FLACHOWSKY, STEFAN, HOENTSCHEL, JAN
Year of Publication 20.09.2012

Get full text

Patent

Loading…

Halbleitervorrichtungen mit eingekapselten Verspannungsbereichen und zugehörige Herstellungsverfahren

by FLACHOWSKY, STEFAN, HOENTSCHEL, JAN
Year of Publication 02.08.2012

Get full text

Patent

Loading…

Durchlassstromeinstellung für Transistoren, die im gleichen aktiven Gebiet hergestellt sind, durch lokales Vorsehen eines eingebetteten verformungsinduzierenden Halbleitermaterials in dem aktiven Gebiet

by HOENTSCHEL, JAN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 05.04.2012

Get full text

Patent

Loading…

Erhöhte Ladungsträgerbeweglichkeit in p-Kanal Transistoren durch Vorsehen eines verspannungsinduzierenden schwellwerteinstellenden Halbleitermaterials im Kanal

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO
Year of Publication 22.03.2012

Get full text

Patent

Loading…

Erhöhte Ladungsträgerbeweglichkeit in p-Kanal Transistoren durch Vorsehen eines verspannungsinduzierenden schwellwerteinstellenden Halbleitermaterials im Kanal

by HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO
Year of Publication 01.03.2012

Get full text

Patent

Loading…

Optischer Signalaustausch in einem Halbleiterbauelement unter Anwendung monolithischer optoelektronischer Komponenten

by Griebenow, Uwe, Beyer, Sven, Scheiper, Thilo, Hoentschel, Jan
Year of Publication 01.02.2018

Get full text

Patent

Loading…

Eingebetteter Kondensator

by MOLL, HANS-PETER, HOENTSCHEL, JAN, BAARS, PETER
Year of Publication 03.03.2016

Get full text

Patent

Loading…

Verfahren und Halbleiterbauelement basierend auf einer Verformungstechnologie in dreidimensionalen Transistoren auf der Grundlage eines verformten Kanalhalbleitermaterials

by FLACHOWSKY, STEFAN, HOENTSCHEL, JAN, SCHEIPER, THILO
Year of Publication 21.01.2016

Get full text

Patent

Loading…

Nichtflüchtiger Speichertransistor und Verfahren zu dessen Herstellung

by Beyer, Sven, Griebenow, Uwe, Scheiper, Thilo, Hoentschel, Jan
Year of Publication 01.06.2017

Get full text

Patent

Loading…

Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit Metallgateelektrodenstrukturen und eingebetteten verformungsinduzierenden Halbleiterlegierungen

by Griebenow, Uwe, Beyer, Sven, Scheiper, Thilo, Hoentschel, Jan
Year of Publication 11.05.2017

Get full text

Patent

Loading…

Einstellen der Konfiguration eines Mehr-Gatetransistors durch Steuern einzelner Stege

by HOENTSCHEL, JAN, PAPAGEORGIOU, VASSILIOS, MULFINGER, G. ROBERT
Year of Publication 26.03.2015

Get full text

Patent

Loading…

Halbleiterbauelement mit einem vergrabenen Wellenleiter für die bauteilinterne optische Kommunikation

by HOENTSCHEL, JAN, FROHBERG, KAI, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 12.03.2015

Get full text

Patent

Loading…

Verformungsgedächtnistechnologie in verformten SOI-Substraten von Halbleiterbauelementen

by Beyer, Sven, Griebenow, Uwe, Scheiper, Thilo, Hoentschel, Jan
Year of Publication 02.03.2017

Get full text

Patent

Loading…

Verbesserung der Verspannungsübertragung in Transistoren durch eine späte Gaterekristallisierung

by HOENTSCHEL, JAN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 12.05.2010

Get full text

Patent

Loading…

Durchlassstromeinstellung für Transistoren, die im gleichen aktiven Gebiet hergestellt sind, durch lokales Vorsehen eines eingebetteten verformungsinduzierenden Halbleitermaterials in dem aktiven Gebiet

by HOENTSCHEL, JAN, GRIEBENOW, UWE
Year of Publication 22.04.2010

Get full text

Patent

Loading…

Verfahren zum Herstellen eines strukturierten verformten Substrats, insbesondere zur Herstellung verformter Transistoren mit geringerer Dicke der aktiven Schicht

by HOENTSCHEL, JAN, WEI, ANDY, BEYER, SVEN
Year of Publication 21.08.2014

Get full text

Patent

Refine Results

Format

Subject Area

Topic

Language

Year of Publication

Database