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Transistor mit einer Gateelektrode, die sich rund um ein oder mehrere Kanalgebiete erstreckt, und Verfahren zu seiner Herstellung
by
Flachowsky, Stefan
,
Hoentschel
,
Jan
Year of Publication
07.10.2021
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Patent
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Rückseiten-Gate-Einstellschaltungen
by
Höntschel
,
Jan
,
Jüttner, Maximilian
,
Otto, Michael
Year of Publication
27.07.2023
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Patent
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Verfahren zur Herstellung eines eingebetteten Kondensators
by
Moll, Hans-Peter
,
Baars, Peter
,
Hoentschel
,
Jan
Year of Publication
29.07.2021
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Patent
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Verfahren zur Leistungssteigerung in Transistoren durch Reduzierung der Absenkung aktiver Gebiete und durch Entfernen von Abstandshaltern
by
Flachowsky, Stefan
,
Hoentschel
,
Jan
Year of Publication
04.01.2018
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Patent
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Halbleitervorrichtungsstruktur und Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtungsstruktur
by
Flachowsky, Stefan
,
Höntschel
,
Jan
,
Illgen, Ralf
Year of Publication
16.01.2020
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Patent
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Aluminiumsicherungen in einem Halbleiterbauelement, das Metallgateelektrodenstrukturen aufweist
by
Kurz, Andreas
,
Hoentschel
,
Jan
,
Schwan, Christoph
Year of Publication
24.12.2019
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Patent
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Rückseiten-Gate-Einstellschaltungen
by
Höntschel
,
Jan
,
Jüttner, Maximilian
,
Otto, Michael
Year of Publication
08.08.2019
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Patent
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Transistor mit einer Gateelektrode, die sich rund um ein oder mehrere Kanalgebiete erstreckt
by
FLACHOWSKY, STEFAN
,
HOENTSCHEL
,
JAN
Year of Publication
11.09.2014
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Patent
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HK/MG-Prozessflüsse für p-Typ Halbleitervorrichtungen
by
Javorka, Peter
,
Richter, Ralf
,
Faul, Jürgen
,
Hoentschel
,
Jan
Year of Publication
14.11.2019
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Patent
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Halbleitervorrichtungen mit eingekapselten Verspannungsbereichen und zugehörige Herstellungsverfahren
by
FLACHOWSKY, STEFAN
,
HOENTSCHEL
,
JAN
Year of Publication
15.11.2012
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Patent
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Halbleitervorrichtung, Halbleitervorrichtungsstruktur, Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtungsstruktur
by
Flachowsky, Stefan
,
Höntschel
,
Jan
,
Illgen, Ralf
Year of Publication
22.09.2016
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Patent
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Leistungssteigerung in Transistoren durch Reduzierung der Absenkung aktiver Gebiete und durch Entfernen von Abstandshaltern
by
FLACHOWSKY, STEFAN
,
HOENTSCHEL
,
JAN
Year of Publication
20.09.2012
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Patent
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Halbleitervorrichtungen mit eingekapselten Verspannungsbereichen und zugehörige Herstellungsverfahren
by
FLACHOWSKY, STEFAN
,
HOENTSCHEL
,
JAN
Year of Publication
02.08.2012
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Patent
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Durchlassstromeinstellung für Transistoren, die im gleichen aktiven Gebiet hergestellt sind, durch lokales Vorsehen eines eingebetteten verformungsinduzierenden Halbleitermaterials in dem aktiven Gebiet
by
HOENTSCHEL
,
JAN
,
GRIEBENOW, UWE
Year of Publication
05.04.2012
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Patent
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Erhöhte Ladungsträgerbeweglichkeit in p-Kanal Transistoren durch Vorsehen eines verspannungsinduzierenden schwellwerteinstellenden Halbleitermaterials im Kanal
by
HOENTSCHEL
,
JAN
,
SCHEIPER, THILO
Year of Publication
22.03.2012
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Patent
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Erhöhte Ladungsträgerbeweglichkeit in p-Kanal Transistoren durch Vorsehen eines verspannungsinduzierenden schwellwerteinstellenden Halbleitermaterials im Kanal
by
HOENTSCHEL
,
JAN
,
SCHEIPER, THILO
Year of Publication
01.03.2012
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Patent
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Optischer Signalaustausch in einem Halbleiterbauelement unter Anwendung monolithischer optoelektronischer Komponenten
by
Griebenow, Uwe
,
Beyer, Sven
,
Scheiper, Thilo
,
Hoentschel
,
Jan
Year of Publication
01.02.2018
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Patent
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Eingebetteter Kondensator
by
MOLL, HANS-PETER
,
HOENTSCHEL
,
JAN
,
BAARS, PETER
Year of Publication
03.03.2016
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Patent
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Verfahren und Halbleiterbauelement basierend auf einer Verformungstechnologie in dreidimensionalen Transistoren auf der Grundlage eines verformten Kanalhalbleitermaterials
by
FLACHOWSKY, STEFAN
,
HOENTSCHEL
,
JAN
,
SCHEIPER, THILO
Year of Publication
21.01.2016
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Patent
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Nichtflüchtiger Speichertransistor und Verfahren zu dessen Herstellung
by
Beyer, Sven
,
Griebenow, Uwe
,
Scheiper, Thilo
,
Hoentschel
,
Jan
Year of Publication
01.06.2017
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Patent
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